平台现拥有超净间、光刻机、感应耦合离子刻蚀机、镀膜机、手套箱、显微镜等大型工艺设备，可开展光电子材料与器件的制作及检测工作。

 

超净间总面积100平方米，包括千级实验室、万级实验室、参观通道、设备通道、更衣室、缓冲间、气瓶间、热处理间等。其中万级实验室37平方米，千级实验室16平方米。超净间建有完善的动力、净化空调及气体保障系统。空气净化由一套独立系统完成，各房间均配备多路气体管道（O2、N2、Ar等）。平台现拥有URE-2000/35A型光刻机、感应耦合离子刻蚀机、手套箱等多台大型工艺设备，可开展光电子材料与器件的制作及检测工作。

 

ICP-5101型等离子体刻蚀设备

主要用途：既有纯化学刻蚀模式，也有物理化学相结合的刻蚀模式。可以对亚微米以下线条进行干法刻蚀，以形成精细图形，较RIE具有更好的综合刻蚀效果且应用更广泛，既可对细线条（纳米级）加工，又可进行体加工。可刻蚀的材料主要有SiOx、SiNx、多晶硅、硅、SiC、GaN、GaAs、聚酰亚胺、光刻胶、半导体材料、部分金属等。具有选择比高、刻蚀速率快、重复性好等优点。

性能参数：

真空获得：耐腐蚀分子泵系统；

真空室数量：双室（刻蚀室、送样室）

系统耐腐蚀程度：耐氟基气体腐蚀

样片尺寸：f8英寸

刻蚀速率：0.1～4μm/min

刻蚀不均匀性：±3% ～ ±5%

气路数量：6路耐腐蚀气路

人机界面：Windows风格界面、触摸屏操作

操作方式：全自动方式、半自动方式

生产模式：连续生产

 

仪器型号：NRE-3500反应离子刻蚀机

主要用途：该系统是独立式RIE反应离子刻蚀系统，基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性。

性能参数：

真空环境：极限真空5x10-7Torr，20分钟内可以达到10-6Torr级别；

样片尺寸：f12英寸

气路数量：4路耐腐蚀气路

刻蚀方式：RIE和PE刻蚀

刻蚀速率：400Å/min

 

URE-2000/35A型光刻机

采用三柔性支点实现高精度自动凋平；真空接触自动曝光；样片升降、调平、接触、曝光、复位实现自动化控制；采用积木错位蝇眼透镜实现高均匀照明；可连续设定分离间隙，采用19英寸大屏幕液晶显示，对准过程方便直观。具有性能可靠、操作方便、自动化程度高等特点。

性能参数：

曝光面积：150mm×150mm

分辨力：0.8-1mm（胶厚2 mm的正胶）

掩模尺寸：2.5英寸、3英寸、4英寸、5英寸，7英寸

样片尺寸：直径f15mm-- f100mm(可适应非标准片或碎片)；厚度0.1mm--6mm

曝光波长：365nm

曝光方式：定时（倒计时方式0.1s~999s）