本平台有Radiant铁电测试系统、Keithley半导体特性测试系统、Agilent公司网络分析仪和阻抗分析仪等分析测试设备，可对介电、铁电、半导体材料与器件电学特性进行分析与表征。

 

仪器型号：美国Keithley 4200-SCS型半导体特性分析系统

主要用途：4200-SCS半导体特征分析系统用于实验室级的直流和脉冲微纳器件特征分析、实时绘图、高精度和亚飞安级分辨率的分析操作，可广泛应用于各类新材料、薄膜材料、异质结构等光电子材料及器件的电学性质和物理特性的研究。

性能参数： 3个高分辨率高功率源测量单元，

电流测量范围0.1fA-1A，电流测量精度10fA；

SMU的最大电压源：210V，

SMU的电压源最小分辨率：5mV，电压测量精度100mV

电流前置放大器单元，最小电流分辨率到0.1fA，

电容—电压测量单元，扫频范围1KHz-10MHz，偏置电压±30V （差分模式下为±60V），精度0.1%。

脉冲电流-电压测量单元：双通道，可以同时对栅和漏加脉冲电压。

脉冲发生器频率（最小频率范围）：50MHz-1Hz。在脉冲发生器模式下，最小脉宽为10ns@10V，50ns@40V，可以输出任意波形；

脉冲I-V模式下，最小脉宽为60ns@10V，140ns@40V。

电流测量精度：0.25%+100μA。

 

仪器型号：美国Agilent公司E5071C ENA网络分析仪

主要用途：网络分析仪主要用于测试天线、线材、滤波器、信号放大器等器件的传输、阻抗、驻波等指标。E5071C网络分析仪具有同类产品中最高的射频性能和最快的速度，并具有宽频率范围和全面的功能。

性能参数：频率范围：300 kHz至14GHz（带有偏置T型接头）

扫描速度：9.6微秒/点

迹线噪声：0.001 dB rms

集成的2、3和4端口，带有平衡测量能力

夹具嵌入/反嵌和端口特性阻抗转换

用于变频设备的频率偏置模式

内置Visual Basic . for Applications（VBA）

宽动态范围：测试端口上的动态范围 > 123 dB

 

仪器型号：美国Radiant Technologies公司Premier II-100V铁电参数测试仪

主要用途：主要用于铁电材料的电滞回线、I-V特性、开关特性和疲劳特性的测试与表征。

性能参数：

1．主机测试电压：0~±99.99V

2．电滞回线测试：测量频率：0.03Hz~100kHz,

使用0~±10V电压时，最高频率为100KHZ，

使用±10~±99.99V时，最高频率为30KHZ；

电荷测量解析度范围: 0.80fC~5.26mC；

材料测量面积解析度范围：0.080µm2 ~52.6cm2；

3．漏电流测试:分辨率:1pA、最大漏电流测试:12.5mA；

4．疲劳测试:最大疲劳测量频率: 1MHz

最小脉冲宽度:0.5us

5. 高压电源放大器

电压输出范围：0~ ±10 kV直流或交流峰值

电流输出范围：0~ ±2mA直流或交流峰值

 

安捷伦阻抗分析仪

主要用途：可对各种电子器件及电子材料和非电子材料的精密阻抗进行测量，可精确分析测量材料的介电常数、导电率和C-V特性等。

性能参数：

1）频率范围：20 ~ 120 MHz；

2）阻抗测量范围：25 mΩ ~ 40 MΩ 宽阻抗测量范围；

3）内置直流偏置源：0 ~ ±40 V，0 ~ ±100 mA；

4）数据分析功能：等效电路分析、极限线测试；

5）被测材料尺寸：厚度: ≤ 10 mm，直径: 10-56 mm