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微纳器件工艺研究平台
来源: admin        上传时间:2015-01-20

平台现拥有超净间、光刻机、感应耦合离子刻蚀机、镀膜机、手套箱、显微镜等大型工艺设备,可开展光电子材料与器件的制作及检测工作。

 

超净间总面积100平方米,包括千级实验室、万级实验室、参观通道、设备通道、更衣室、缓冲间、气瓶间、热处理间等。其中万级实验室37平方米,千级实验室16平方米。超净间建有完善的动力、净化空调及气体保障系统。空气净化由一套独立系统完成,各房间均配备多路气体管道(O2、N2、Ar等)。平台现拥有URE-2000/35A型光刻机、感应耦合离子刻蚀机、手套箱等多台大型工艺设备,可开展光电子材料与器件的制作及检测工作。

 

ICP-5101型等离子体刻蚀设备

主要用途:既有纯化学刻蚀模式,也有物理化学相结合的刻蚀模式。可以对亚微米以下线条进行干法刻蚀,以形成精细图形,较RIE具有更好的综合刻蚀效果且应用更广泛,既可对细线条(纳米级)加工,又可进行体加工。可刻蚀的材料主要有SiOx、SiNx、多晶硅、硅、SiC、GaN、GaAs、聚酰亚胺、光刻胶、半导体材料、部分金属等。具有选择比高、刻蚀速率快、重复性好等优点。

性能参数:

真空获得:耐腐蚀分子泵系统;

真空室数量:双室(刻蚀室、送样室)

系统耐腐蚀程度:耐氟基气体腐蚀

样片尺寸:f8英寸

刻蚀速率:0.1~4μm/min

刻蚀不均匀性:±3% ~ ±5%

气路数量:6路耐腐蚀气路

人机界面:Windows风格界面、触摸屏操作

操作方式:全自动方式、半自动方式

生产模式:连续生产

 

仪器型号:NRE-3500反应离子刻蚀机

主要用途:该系统是独立式RIE反应离子刻蚀系统,基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制,该系统具有高度的可重复性。

性能参数:

真空环境:极限真空5x10-7Torr,20分钟内可以达到10-6Torr级别;

样片尺寸:f12英寸

气路数量:4路耐腐蚀气路

刻蚀方式:RIE和PE刻蚀

刻蚀速率:400Å/min

 

URE-2000/35A型光刻机

采用三柔性支点实现高精度自动凋平;真空接触自动曝光;样片升降、调平、接触、曝光、复位实现自动化控制;采用积木错位蝇眼透镜实现高均匀照明;可连续设定分离间隙,采用19英寸大屏幕液晶显示,对准过程方便直观。具有性能可靠、操作方便、自动化程度高等特点。

性能参数:

曝光面积:150mm×150mm

分辨力:0.8-1mm(胶厚2 mm的正胶)

掩模尺寸:2.5英寸、3英寸、4英寸、5英寸,7英寸

样片尺寸:直径f15mm-- f100mm(可适应非标准片或碎片);厚度0.1mm--6mm

曝光波长:365nm

曝光方式:定时(倒计时方式0.1s~999s)

联系地址:湖北省襄阳市隆中路296号,邮编:441053
联系电话:0710-3590894 传真:0710-3590894